Скачать с сервера

Цель работы: Изучить стационарную фотопроводимость полупроводникового фоторезистора, определить характер рекомбинации неравновесных носителей.

Элементы теории

Электропроводимость полупроводников определяется концентрацией свободных носителей заряда (электронов – n и дырок – p), а также их подвижности (m_n и m_p):

s=e(nm_n+pm_p).

В полупроводниках электрический спектр разрешенных состояний, находящихся в валентной зоне и зоне проводимости, разделен запрещенной зоной, ширина которой равна DF. Приложение электрического поля не вызывает появление тока, несмотря на то, что концентрация электронов в валентной зоне может быть достаточно большой. Это объясняется тем, что все энергетические состояния валентной зоны уже заняты, и поэтому находящийся в электрическом поле электрон не может покинуть свое энергетическое состояние и перейти на более высокий уровень. Для появления электропроводимости необходимо, чтобы часть электронов повысила свою энергию на величину, равную или более чем DE, и попала в зону проводимости где они могут свободно перемещаться в электрическом поле.