Технические дисциплины - Микроэлектроника

Вопросы Микроэлектроника

 

I.

 

  1. Причины появления и развития микроэлектроники. Классификация ИМС (по конструкционно-техническому признаку).(2, 6-7) – 4, 7-12
  2. Классификация ИМС (по способу обработки сигнала) (9-10) 12-13
  3. Принцип преобразования аналогового сигнала в цифровой (10-11) 13-14
  4. Элементарные логические операции (11-13) 14-17
  5. Основные этапы изготовления ИМС (14-15) 18-19
  6. Структура производства ИМС (15-16)19-21
  7. Литография(16-17) 21-24
  8. Виды эпитаксий (ЖФЭ)(20)24, 25-26
  9. Виды эпитаксий (ГФЭ)(19)24, 26
  10. Виды эпитаксий (МЛЭ)(20)24, 27
  11. Варианты травления структур микроэлектроники (21-22)27-31
  12. Легирование (21)31-32
  13. Технология изготовления интегрального n-p-n транзистора с изоляцией p-n переходом (23-27)36-40
  14. Параметры интегрального n-p-n транзистора с изоляцией p-n переходом (28-29)41-44
  15. Основные параметры логических элементов (38-40)
  16. Технология изготовления n-p-n интегрального транзистора с комбинированной изоляцией (33-35)56-61
  17. Технология изготовления n-p-n интегрального транзистора с изоляцией диэлектриком(37)54-55
  18. Топологическая структура МЭТ (40)62-63
  19. МКТ (топология; структура базового элемента И2Л) (43-40)64-67
  20. Ключ на КМОП (структура на кремнии) (60)73,85
  21. Ключ на КМОП (структура на сапфире) (60)73,85-86
  22. Ключ на n-МОП транзисторе с активной нагрузкой в виде n-МОП – транзистора со встроенным каналом (топологическая структура) (55-57)80-82
  23. ПЗУ (ROM) (топологическая схема и схема электрически стираемых программируемых ПЗУ) (69)

 

II

 

  1. МКТ (структура и работа одной ячейки И2Л) (44-46)664-66
  2. МКТ (схема логического элемента И2Л на два входа и три выхода) (46-47)66-67
  3. Работа n-p-n транзистора в ключевом режиме (время включения) (31-32)44-50
  4. Работа p-n-p транзистора в ключевом режиме (время включения) (31-33)44-50?
  5. Влияние укоряющей емкости на характеристики ключа (32-33) 44-50?
  6. Влияние диода Шотки на характеристики ключа (32-33) 44-50?
  7. Работа МЭТ в элементарной ячейке ТТЛ с простым инвертором (41)
  8. Ключ на n-МОП транзисторе с резистивной (линейной) нагрузкой (принцип действия) (50-51)74-75
  9. Ключ на n-МОП транзисторе с резистивной (линейной) нагрузкой (переходные процессы) (51-53)75-76
  10. Ключ на n-МОП транзисторе с активной нагрузкой в виде n-МОП транзистора со встроенным каналом (принцип действия) (53)77-78
  11. Ключ на n-МОП транзисторе с активной нагрузкой в виде n-МОП транзистора со встроенным каналом (параметры активного и нагрузочного транзистора их влияние на передаточную характеристику) )(54-55)78-79
  12. Ключ на КМОП (принцип действия, характеристики) (57-59)82-85
  13. Статические оперативные запоминающие устройства (структурная схема SRAM) (63)88-90
  14. Статические оперативные запоминающие устройства (схема элемента памяти) (64)88-90
  15. Статические оперативные запоминающие устройства (принцип действия ячейки памяти) (65)88-90
  16. DRAM (ЗУПВ(Д)); (схема элемента памяти)(65)90-93
  17. DRAM (ЗУПВ(Д)); (структурная схема) (65)90-93
  18. DRAM (ЗУПВ(Д)); (принцип действия ячейки памяти) (65-66)90-93
  19. ПЗУ (ROM) (стираемые программируемы ПЗУ)(67-68)
  20. ПЗУ (ROM) (электрически стираемые программируемые ПЗУ)(69-70)
  21. Основные свойства полупроводниковых материалов А3В5 (зависимость скорости дрейфа электронов от напряженности электрического поля)(71-75)
  22. Полевые транзисторы с затвором Шотки на GaAs (МКП) (76-78)
 

Добавить комментарий


Защитный код
Обновить